度更好，當然也意味著更高的制程。　　而制程的提高一代，同樣的晶體管結構，意味著晶體管密集度提升一倍，頻率提升一倍?！　≡?30納米制程之前，這個定律是有效的。　　而193納米制程的光刻機，在沒有銅連接以及finfet結構技術等加成下，也可以完成130納米制程的半導體制造。　　要知道半導體制程是以前代大概0.7倍為一代，比如800納米制程之后是560納米，一般說500納米，500納米之后是350納米，350納米之后是250納米，250納米之后是180納米，180納米之后是130納米。　　龐主任說：“趙總，你是說193納米激光光刻機可以讓西方半導體制程提升五代，能進行130納米制程半導體制造？”　　要不然幾十年后，憑借intel的財力，也不會14納米制程上耽誤了七八年沒辦...